[实用新型]集成电路和n型器件

摘要

本公开的实施方式涉及集成电路和n型器件。在此披露了其中的邻近的pFET和nFET的应变特性是独立可调的集成电路。这些pFET包括在硅衬底上的压缩性应变SiGe，而这些nFET包括在应变弛豫的SiGe衬底上的拉伸性应变硅。通过镶嵌工艺形成的多个电绝缘区将邻近的n型鳍式FET和p型鳍式FET分离。在这些绝缘区形成过程中，允许支撑这些n型器件的该SiGe衬底弹性地弛豫，由此限制在该SiGe衬底的晶格中形成缺陷。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括：硅衬底；在所述硅衬底上的压缩性SiGe有源层；p型鳍式FET，所述p型鳍式FET在所述压缩性SiGe有源层中形成；应变弛豫的SiGe区，所述应变弛豫的SiGe区镶入所述硅衬底中；拉伸性硅有源层，所述拉伸性硅有源层在所述应变弛豫的SiGe区上并且邻近所述压缩性SiGe有源层；n型鳍式FET，所述n型鳍式FET在所述拉伸性硅有源层中形成；以及多个电绝缘区，所述多个电绝缘区定位在所述p型鳍式FET和所述n型鳍式FET之间并且定位在所述应变弛豫的SiGe区和所述硅衬底之间。