[实用新型]一种感应加热金红石单晶体生长炉有效
| 申请号： | 201520962478.2 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN205241849U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 唐坚;刘旭东;张瑞青;毕孝国;孙旭东 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种感应加热金红石单晶体生长炉，属于单晶体生长领域。解决温度分布难于精确控制，晶体生长界面以下轴向温度梯度较大，晶体中易存在较大的应力的问题，生长炉包括：分为上腔体与下腔体的炉壳，第一加热装置，包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段，导电陶瓷管为进料口与下腔体的进料通道，导电陶瓷管外套设石英管，石英管外缠绕第一电磁感应线圈，设置在下腔体内生长室，第一加热装置下方设置为生长室的生长区；第二加热装置，包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电磁感应线圈形成保温段。本实用新型可以做到温度的变化更加精确，可以根据需要随时调整晶体生长的温度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 感应 加热 金红石 单晶体 生长 | ||
【主权项】：
一种感应加热金红石单晶体生长炉，其特征在于，包括：炉壳；炉壳为通过陶瓷板隔开的上腔体与下腔体，炉壳的顶端设置有进料口；第一加热装置，包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段，导电陶瓷管为进料口与下腔体的进料通道，导电陶瓷管外套设石英管，石英管外缠绕第一电磁感应线圈，上腔体内填充保温岩棉；生长室，设置在下腔体内，与导电陶瓷管共中心轴相通，在生长室内设置可升降的基座杆，第一加热装置下方设置为生长室的生长区，对应生长区的侧面开设观察窗；第二加热装置，包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电磁感应线圈形成保温段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学，未经东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520962478.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体生长用坩埚
- 下一篇：一种饰品坯电镀前表面化学清洗用辅助挂架
