[实用新型]一体式晶体掩膜有效

专利信息
申请号: 201520983398.5 申请日: 2015-12-01
公开(公告)号: CN205152315U 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 李文蕴;林日乐;林丙涛;董宏奎;谢佳维;满欣 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04
代理公司: 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 代理人: 江涛
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 实用新型公开一种一体式晶体掩膜,包括位于基片上的石英晶体振荡器芯片结构,以及与所述石英晶体振荡器芯片结构同基片,且与所述石英晶体振荡器芯片结构同时制作成形的晶体掩膜。本实用新型公开的一体式晶体掩膜,实现了振荡器芯片的一体化镀膜,即在对振荡器芯片进行侧面电极镀膜时,可直接利用同一基片上的晶体掩膜,对振荡器芯片进行三维电极镀膜工艺,这种一体式晶体掩膜工艺,提高了振荡器芯片的电极成形精度,降低了振荡器芯片电极成形精度对晶体振荡器性能的影响。
搜索关键词: 体式 晶体
【主权项】:
一体式晶体掩膜,其特征在于,包括位于基片上的石英晶体振荡器芯片结构,以及与所述石英晶体振荡器芯片结构同基片,且与所述石英晶体振荡器芯片结构同时制作成形的晶体掩膜。
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