[实用新型]一种NAND FLASH内存的写保护电路及NAND FLASH内存有效
| 申请号： | 201520989205.7 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN205540751U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 黄小洪;余贤沐;刘卫青 | 申请（专利权）人： | 深圳市多尼卡电子技术有限公司;深圳市航电技术研究院;深圳多尼卡互联技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/78 | 分类号： | G06F21/78;G11C7/24 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 吴桂华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种NAND FLASH内存的写保护电路及NAND FLASH内存，涉及电路领域。本实用新型提供一种NAND FLASH内存的写保护电路连接于NAND FLASH内存芯片与上位机之间，写保护电路包括：与上位机和NAND FLASH内存芯片相连，受控于上位机、向NAND FLASH内存芯片的写保护端输出低电平以控制NAND FLASH内存芯片进入写保护状态的控制单元。通过将控制单元连接于上位机和NAND FLASH内存芯片之间，上位机控制其向NAND FLASH内存芯片的写保护端输出低电平以控制NAND FLASH内存芯片进行写保护，进而使得NAND FLASH内存避免了因为用户的误操作或存储文件在程序上出现漏洞导致NAND FLASH内存中文件丢失的现象，进一步解决了NAND FLASH内存因为文件的丢失需要返厂维修，导致维护NAND FLASH内存的成本增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 内存 写保护 电路 | ||
【主权项】：
一种NAND FLASH内存的写保护电路，连接于NAND FLASH内存芯片与上位机之间，其特征在于，所述写保护电路包括：与所述上位机和所述NAND FLASH内存芯片相连，受控于所述上位机、向所述NAND FLASH内存芯片的写保护端输出低电平以控制所述NAND FLASH内存芯片进入写保护状态的控制单元。
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