[实用新型]一种抗干扰薄膜混合集成电路

摘要

抗干扰薄膜混合集成电路，由管帽、管基、管脚、半导体集成电路芯片组成，半导体集成电路芯片用键合丝键合在管基薄膜陶瓷基片金属键合区上，管帽封装在管基之上；与原有薄膜混合集成电路不同的是：管帽有金属外层和陶瓷内层，管基有陶瓷基体,管基外表面有金属外层；另有片式元器件装贴在薄膜陶瓷基片上。这样，管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合，实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现薄膜混合集成电路的抗干扰能力。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。

主权项

一种抗干扰薄膜混合集成电路，由管帽、管基、管脚、半导体集成电路芯片(5)、片式元器件(15)组成，半导体集成电路芯片(5)用键合丝(6)键合在管基上面的薄膜陶瓷基片金属键合区(8)上，管帽封装在管基之上；其特征在于管帽有陶瓷内层(11)和管帽外表面金属外层(12)，管基有陶瓷基体(13),管帽外表面金属外层(14)；薄膜陶瓷基片通过背面金属层(9)装贴在管基上；另有片式元器件装贴在薄膜陶瓷基片上。