[实用新型]半导体材料少子寿命测试装置有效

专利信息
申请号: 201520997371.1 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN205176210U 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 魏博;周诗丽 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 余毅勤
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供了一种半导体材料少子寿命测试装置,其中,绝缘材料层的侧面与底面的夹角小于等于45°,由此能够使得发射到绝缘材料层侧面的微波向绝缘材料层底面反射,从而可减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率,由此可减弱甚至消除干扰信号。进一步的,所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凹陷或凸起,可使得发射到绝缘材料层侧面的微波向多个方向反射,从而可进一步减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率,进而可进一步减弱甚至消除干扰信号。
搜索关键词: 半导体材料 少子 寿命 测试 装置
【主权项】:
一种半导体材料少子寿命测试装置,其包括:载台、位于所述载台上方的微波探头以及激光头,其中,所述载台包括金属平板及位于所述金属平板上的绝缘材料层,其特征在于,所述绝缘材料层包括底面、与底面相对的顶面及连接顶面与底面的侧面,所述侧面与底面的夹角小于等于45°。
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