[实用新型]单多晶硅片通用型承载石墨框有效
申请号: | 201521001529.1 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN205211719U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 李慧;董建文 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及承载光伏硅片的石墨框技术领域,尤其是一种关于上镀膜、且用于承载不同尺寸、不同倒角硅片的单多晶通用型石墨框,具有框体,框体上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔,沉孔具有放置硅片的沉台,在沉孔的沉台上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框,衬框具有适配于沉孔上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓。该单多晶通用型石墨框结构,根据硅片尺寸、外形的变化,设计相应的模块组用于承载不同的硅片,既可以承载倒角硅片也可以承载直角硅片,同时可以承载不同倒角尺寸的硅片。 | ||
搜索关键词: | 多晶 硅片 通用型 承载 石墨 | ||
【主权项】:
一种单多晶硅片通用型承载石墨框,具有框体(1),所述框体(1)上矩阵式排列承载硅片的相同尺寸的沉孔(2),所述沉孔(2)具有放置硅片的沉台(3),其特征在于:在所述沉孔(2)的沉台(3)上分别都设置有环绕于硅片四周的衬框(4),所述衬框(4)具有适配于沉孔(2)上口部轮廓的外轮廓和适配于硅片外轮廓的内轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造