[实用新型]一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、下转换减反膜和Ag正电极，Al背场、P型硅、N+层和下转换减反膜为层叠式设置，Ag正电极穿过下转换减反膜与N+层相接触；下转换减反膜包括上层的下转换SiNx层、下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层；下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层位于下转换SiNx层与N+层之间，下转换SiNx层中均匀分布下转换材料。与现有技术相比，本实用新型具有提高钝化效果，降低表面复合；将不可用的紫外线等短波光子转换为可利用的长波光子，大大提高太阳光子的利用率的优点。

主权项

一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、下转换减反膜和Ag正电极，Al背场、P型硅、N+层和下转换减反膜为层叠式设置，Ag正电极穿过下转换减反膜与N+层相接触；下转换减反膜包括上层的下转换SiNx层、下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层；下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层位于下转换SiNx层与N+层之间，下转换SiNx层中均匀分布下转换材料。