[实用新型]一种基于反挖槽工艺的双台阶快恢复二极管芯片有效
| 申请号： | 201521012766.8 | 申请日： | 2015-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN205194707U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 宋晓彤 | 申请（专利权）人： | 宋晓彤 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，具体涉及一种基于反挖槽工艺的双台阶快恢复二极管芯片，包括硅基片，其中，该硅基片从上往下依次包括N型扩散层、I型层和P型扩散层，所述硅基片的上表面上开设有挖槽，挖槽将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台，以及位于芯片边缘的两侧台阶，其中台阶的上表面低于凸台的上表面，PIN结暴露在挖槽的侧壁上，挖槽的底部和侧壁上均覆盖有玻璃钝化层。本实用新型其电极性与常规的整流芯片相反，反向耐压能够高于2000伏特，同时，既能保证芯片的电性能，又可以防止芯片短路，提高了芯片的耐压性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反挖槽 工艺 台阶 恢复 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于反挖槽工艺的双台阶快恢复二极管芯片，其特征在于：包括硅基片，其中，该硅基片从上往下依次包括N型扩散层、I型层和P型扩散层，所述硅基片的上表面上开设有挖槽，挖槽将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台，以及位于芯片边缘的两侧台阶，其中台阶的上表面低于凸台的上表面，PIN结暴露在挖槽的侧壁上，挖槽的底部和侧壁上均覆盖有玻璃钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宋晓彤，未经宋晓彤许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201521012766.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一体化高性能共挤型背膜
- 下一篇：一种层叠封装结构及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
