[实用新型]一种高速单晶生长装置有效
| 申请号： | 201521013702.X | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN205295534U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘立军;赵文翰;丁俊岭 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高速单晶生长装置，其特点为在坩埚上方设有导流筒，导流筒在三相点附近的形状经特殊设计以控制凝固界面上方的热流方向；在导流筒内设置水冷套以强化晶体侧的传热。本实用新型通过设计导流筒结构，能够使水冷套长度延伸到固液界面附近，相比于传统水冷套设计能大幅强化晶体侧的散热能力，进而提高晶体提拉速度；同时克服因水冷套过于靠近固液界面导致固液界面凹度增大的技术难点，在整个拉晶过程中均能获得较为平坦的凝固界面形状，且晶体内热应力值也控制在较低水平。因此采用本实用新型有利于快速提拉出高品质的单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种高速单晶生长装置，其特征在于，包括由外至内依次设置的炉壁(6)和隔热层(2)，在隔热层(2)中心处的底部设置有支撑轴(10)，支撑轴(10)上依次设置有石墨坩埚(7)和石英坩埚(8)，支撑轴(10)用于带动石墨坩埚(7)和石英坩埚(8)升降及旋转，在石墨坩埚(7)外侧上设置有石墨加热器(3)；在石英坩埚(8)内设置有导流筒(1)，且导流筒(1)的顶端与隔热层(2)的顶端相连；在导流筒(1)内设置有水冷套(4)，且水冷套(4)的顶端与炉壁(6)的内壁相连；使用时，石英坩埚(8)内为硅熔体(9)，硅熔体(9)的液面低于导流筒(1)的底面，生长的硅晶体(5)依次穿过导流筒(1)内腔和水冷套(4)内腔提升至单晶快速生长装置外。
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