[实用新型]一种基于反挖槽工艺的双台阶整流芯片有效
| 申请号： | 201521018061.7 | 申请日： | 2015-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN205194683U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘志鑫;迟界竹;李新跃;周国栋 | 申请（专利权）人： | 刘志鑫 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，具体涉及一种基于反挖槽工艺的双台阶整流芯片，包括硅基片，其中，该硅基片包括N型扩散层和P型扩散层，且N型扩散层位于P型扩散层的上方，N型扩散层和P型扩散层之间形成PN结，所述硅基片的上表面上开设有挖槽，挖槽将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台，以及位于芯片边缘的两侧台阶，其中台阶的上表面低于凸台的上表面，PN结暴露在挖槽的侧壁上，挖槽的底部和侧壁上均覆盖有玻璃钝化层。本实用新型其电极性与常规的整流芯片相反，反向耐压能够高于2000伏特，同时，既能保证芯片的电性能，又可以防止芯片短路，提高了芯片的耐压性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反挖槽 工艺 台阶 整流 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于反挖槽工艺的双台阶整流芯片，其特征在于：包括硅基片，其中，该硅基片包括N型扩散层和P型扩散层，且N型扩散层位于P型扩散层的上方，N型扩散层和P型扩散层之间形成PN结，所述硅基片的上表面上开设有挖槽，挖槽将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台，以及位于芯片边缘的两侧台阶，其中台阶的上表面低于凸台的上表面，PN结暴露在挖槽的侧壁上，挖槽的底部和侧壁上均覆盖有玻璃钝化层。
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