[实用新型]一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构有效
| 申请号： | 201521025203.2 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN205542755U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 黄赛琴;林勇;黄国灿;陈轮兴 | 申请（专利权）人： | 福建安特微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 351100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构，包括共晶硅芯片、粘附层、过渡层、焊接层、焊料和焊接铜框架，所述粘附层通过磁控溅射法溅射在共晶硅芯片的背面上，所述焊接层通过电子束蒸发工艺镀膜在过渡层上，所述焊料设置在焊接层与焊接铜框架之间。本实用新型为避免粘附层和焊接层这两种金属之间出现相互扩散现象，需要在这两中金属薄膜之间加入金属薄膜作为过渡金层，过渡金层可以减少这两层金属薄膜间产生的热应力，热稳定性好，导热和导电性能要好，而且当粘附层和焊接层之间附着力较弱的情况下，选择适当的过渡金属薄膜，同时能够可以提高粘附层和焊接层薄膜间的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠 功率 器件 共晶硅 背面 金属化 结构 | ||
【主权项】：
一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构，包括共晶硅芯片（1）、粘附层（2）、过渡层（3）、焊接层（4）、焊料（5）和焊接铜框架（6），其特征在于：所述粘附层（2）通过磁控溅射法溅射在共晶硅芯片（1）的背面上，所述过渡层（3）设置在粘附层（2）与焊接层（4）之间，所述焊接层（4）通过电子束蒸发工艺镀膜在过渡层（3）上，所述焊料（5）设置在焊接层（4）与焊接铜框架（6）之间。
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