[实用新型]一种电荷自恢复的复合驻极体薄膜有效

专利信息
申请号: 201521026805.X 申请日: 2015-12-10
公开(公告)号: CN205542420U 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: 周军;钟俊文;钟其泽 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01G7/02 分类号: H01G7/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 廖盈春
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种电荷自恢复的复合驻极体薄膜,复合驻极体薄膜保持电荷,当复合驻极体薄膜所保持的电荷在受到外界干扰时,其保持的电荷会消失,当外界干扰消失后,复合驻极体薄膜又能吸附外界的电荷;复合驻极体薄膜包括:位于上层的第一薄膜和位于下层的第二薄膜,第一薄膜与所述第二薄膜之间有孔洞结构;第一薄膜是指在电晕极化后保持负电荷的高分子薄膜,第二薄膜是指在电晕极化后保持正电荷的高分子薄膜。本实用新型提供的复合驻极体薄膜具有便于操控、成本低廉和适于大批量规模生产等特点,且机械性能好,不容易脱落或者开裂。
搜索关键词: 一种 电荷 恢复 复合 驻极体 薄膜
【主权项】:
一种电荷自恢复的复合驻极体薄膜,其特征在于,所述复合驻极体薄膜保持电荷,当所述复合驻极体薄膜所保持的电荷在受到外界干扰时,其保持的电荷会消失,当外界干扰消失后,所述复合驻极体薄膜又能吸附外界的电荷;所述复合驻极体薄膜包括:位于上层的第一薄膜(1)和位于下层的第二薄膜(2),所述第一薄膜(1)与所述第二薄膜(2)之间有孔洞结构;利用热压技术在所述第一薄膜(1)或所述第二薄膜(2)上压印出规则的凹陷图案;所述第一薄膜(1)是指在电晕极化后保持负电荷的高分子薄膜,所述第二薄膜(2)是指在电晕极化后保持正电荷的高分子薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201521026805.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top