[实用新型]非合金欧姆接触的GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201521049123.0 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN205211760U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黎明;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种非合金欧姆接触的GaN HEMT器件，其包括由下至上依次层叠的衬底、掺杂GaN缓冲层、非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层，非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层之间形成二维电子气，非掺杂AlGaN势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，沟槽从非掺杂AlGaN势垒层的表面深入掺杂GaN缓冲层内部，沟槽内生长有n型InGaN外延层，在源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极，在漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极。通过上述方式，本实用新型能够避免高温退火对GaN器件带来晶格损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 欧姆 接触 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种非合金欧姆接触的GaN HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠的衬底、掺杂GaN缓冲层、非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层，所述非掺杂GaN沟道层和所述非掺杂AlGaN势垒层之间形成二维电子气，所述非掺杂AlGaN势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，所述沟槽从所述非掺杂AlGaN势垒层的表面深入所述掺杂GaN缓冲层内部，所述沟槽内生长有n型InGaN外延层，在所述源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极，在所述漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极。
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