[实用新型]一种高耐湿性肖特基势垒二极管芯片有效
| 申请号： | 201521055069.0 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN205231040U | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 姚伟明;杨勇;马文力;付国振;谭德喜 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/872 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高耐湿性肖特基势垒二极管芯片，其包括N型重掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、场氧化层、薄氧化层、肖特基势垒层，位于场氧化层、薄氧化层、肖特基势垒层上方的多层金属层，及位于N型重掺杂硅衬底下面的多层金属层，在所述场氧化层上面、薄氧化层的上面及其内侧设置有对高密度介质层，位于薄氧化层内侧的高密度介质层覆盖部分P型重掺杂环区。通过增加高密度介质层，在器件结构内部提高器件钝化效果，对二极管终端结构中的Si-SiO2界面进行保护，防止水汽进入Si-SiO2界面和电极金属-肖特基势垒硅化物界面，提高抵抗潮湿环境下的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高耐湿性 肖特基势垒二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种高耐湿性肖特基势垒二极管芯片，其包括N型重掺杂硅衬底、在所述N型重掺杂硅衬底上生长的N型轻掺杂外延层、在所述N型轻掺杂外延层中设置有P型重掺杂环区、位于所述P型重掺杂环区上方的薄氧化层、位于所述薄氧化层外侧的场氧化层、位于所述薄氧化层内侧的肖特基势垒层，位于所述场氧化层、所述薄氧化层、所述肖特基势垒层上方的正面多层金属层，及位于所述N型重掺杂硅衬底下面的背面多层金属层，其特征在于在所述场氧化层上方、所述薄氧化层的上方及其内侧设置有对高密度介质层，位于所述薄氧化层内侧的所述高密度介质层覆盖部分所述P型重掺杂环区；所述高密度介质层位于所述正面多层金属层下方。
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