[实用新型]一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构有效
| 申请号： | 201521060739.8 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN205313716U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 毛开礼;郎鹏;李斌;王英民;周立平;戴鑫;侯晓蕊;王利忠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 山西科贝律师事务所 14106 | 代理人： | 陈奇 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构，解决了SiC单晶形貌、质量不均匀的问题。包括下法兰盘（9），在下法兰盘（9）的顶面上固定设置有外保温支撑架（6），在外保温支撑架（6）上固定设置有坩埚的外保温层（7），在外保温层（7）中活动设置有桶型坩埚（11），在桶型坩埚（11）的顶面上设置有上保温层（8），在桶型坩埚（11）的下底面上设置有下保温层（10），在下保温层（10）的下底面上连接有桶型坩埚支架（5），在下法兰盘（9）上设置有电机（1），在电机（1）的输出轴上连接有主动齿轮（3），在桶型坩埚支架（5）上设置有环形齿条（4），主动齿轮（3）与环形齿条（4）啮合在一起的。有效地提升了温场结构对称性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 生长 设备 坩埚 独立 旋转 机构 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构，包括下法兰盘（9），在下法兰盘（9）的顶面上固定设置有外保温支撑架（6），在外保温支撑架（6）上固定设置有坩埚的外保温层（7），在外保温层（7）中活动设置有桶型坩埚（11），在桶型坩埚（11）的顶面上设置有上保温层（8），在桶型坩埚（11）的下底面上设置有下保温层（10），其特征在于，在下保温层（10）的下底面上连接有桶型坩埚支架（5），在下法兰盘（9）上设置有电机（1），在电机（1）的输出轴上连接有主动齿轮（3），在桶型坩埚支架（5）上设置有环形齿条（4），主动齿轮（3）与环形齿条（4）啮合在一起的。
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