[实用新型]一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路有效

专利信息
申请号: 201521062410.5 申请日: 2015-12-20
公开(公告)号: CN205453655U 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 王泊洋 申请(专利权)人: 西安图安电机驱动系统有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082
代理公司: 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 代理人: 李炳辉
地址: 710000 陕西省西安市高新*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型属于电路保护领域,具体涉及一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,包括微控制器MCU、与门、驱动电路、MOSFET、差动放大电路、滤波电路、比较器和单稳电路;其中,微控制器MCU通过与门连接驱动电路;MOSFET的漏极与源极连接差动放大器;差动放大器通过滤波电路连接比较器;比较器与单稳电路连接;单稳电路分别连接与门和微控制器MCU。本实用新型中单稳触发器是快速关闭MOSFET驱动,给微控制器MCU足够的响应时间关闭MOSFET。当微控制器MCU响应后,由微控制器MCU接管控制信号,稳定关闭MOSFET驱动输出,达成稳定、可靠的关闭MOSFET,保护功率电路。
搜索关键词: 一种 直接 测量 mosfet 导通后 电压 进行 短路 保护 电路
【主权项】:
一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,其特征在于:包括微控制器MCU(1)、与门(2)、驱动电路(3)、单稳电路(4)、MOSFET(5)、差动放大电路(6)、滤波电路(7)、比较器(8);其中,所述微控制器MCU(1)通过与门(2)连接驱动电路(3);所述驱动电路(3)连接MOSFET(5)的栅极;所述MOSFET(5)与差动放大电路(6)相连;所述差动放大电路(6)通过滤波电路(7)连接比较器(8);所述比较器(8)与单稳电路(4)连接;所述单稳电路(4)分别连接与门(2)和微控制器MCU(1)。
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