[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201521070039.7 申请日: 2015-12-21
公开(公告)号: CN205355031U 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 小林达也;大塚洋文;下田一郎 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/373
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型提供半导体装置,将不同电位的半导体元件内置于同一封装件。本实用新型的半导体装置具有:功率用半导体元件;控制用半导体元件;框架,其在一个主面上借助第1粘结材料载置有功率用半导体元件;第2基板,其在一个主面上借助第2粘结材料载置有控制用半导体元件;第1基板,其在一个主面上载置有框架和第2基板;以及以第1基板的另一个主面露出的方式,利用密封体密封功率用半导体元件、控制用半导体元件、第1基板、框架以及第2基板而成的结构,该半导体装置的特征在于,第1基板包括:金属底层、设置在金属底层的上表面的绝缘层、设置在绝缘层的上表面的金属层、以及以覆盖金属层的方式设置在第1基板的最上方的覆盖层。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其具有:功率用半导体元件(1);控制用半导体元件(2);框架(4),其在一个主面上借助第1粘结材料(6)载置有所述功率用半导体元件(1);第2基板(5),其在一个主面上借助第2粘结材料(7)载置有所述控制用半导体元件(2);第1基板(3),其在一个主面上载置有所述框架(4)和所述第2基板(5);以及以所述第1基板(3)的另一个主面露出的方式,利用密封体(8)密封所述功率用半导体元件(1)、所述控制用半导体元件(2)、所述第1基板(3)、所述框架(4)以及所述第2基板(5)而得到的结构,该半导体装置的特征在于,所述第1基板(3)包含:金属底层(31)、设置在所述金属底层(31)的上表面的绝缘层(32)、设置在所述绝缘层(32)的上表面的金属层(33)、以及以覆盖所述金属层(33)的方式设置在所述第1基板(3)的最上方的覆盖层(34)。
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