[实用新型]一种用于原子层薄膜沉积的反应源进气装置有效
申请号: | 201521070861.3 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN205443445U | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 潘龙;魏景峰 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 郝瑞刚 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及原子层薄膜沉积技术领域,具体涉及了一种用于原子层薄膜沉积的反应源进气装置,包括第一反应源进气管、第二反应源进气管和反应源分散块,反应源分散块底部连通有多个竖直设置的第一反应源弥散管和第二反应源弥散管,第一反应源弥散管和第二反应源弥散管交替设置成一排;第一反应源进气管通过反应源分散块分别与第一反应源弥散管连通,第二反应源进气管通过反应源分散块分别与第二反应源弥散管连通;第一反应源弥散管和第二反应源弥散管分别伸入反应腔室内,且对反应腔室内的硅片均匀喷洒第一反应源和第二反应源。本实用新型提供的一种用于原子层薄膜沉积的反应源进气装置,可有效提高反应腔室内硅片表面气态反应源的分布均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 原子 薄膜 沉积 反应 源进气 装置 | ||
【主权项】:
一种用于原子层薄膜沉积的反应源进气装置,其特征在于,包括第一反应源进气管、第二反应源进气管和反应源分散块,所述反应源分散块底部连通有多个竖直设置的第一反应源弥散管和第二反应源弥散管,所述第一反应源弥散管和第二反应源弥散管交替设置成一排;所述第一反应源进气管通过所述反应源分散块分别与所述第一反应源弥散管连通,所述第二反应源进气管通过所述反应源分散块分别与所述第二反应源弥散管连通;所述第一反应源弥散管和第二反应源弥散管分别伸入反应腔室内,且对所述反应腔室内的硅片均匀喷洒第一反应源和第二反应源。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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