[实用新型]一种功率器件MOSFET特性测试实验装置有效
| 申请号： | 201521075497.X | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN205484684U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 俞勇祥 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310057 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOSFET特性测试实验装置，解决了现有技术的不足，技术方案为：包括MOSFET特性测试实验板、温度传感器、温控显示板和温度传感器固定板，所述温度传感器固定板包括支撑板和至少三根支撑杆，所述支撑杆的第一端均与所述支撑板连接，所述MOSFET特性测试实验板上开设有若干个连接孔，所述支撑杆的第二端插入连接孔与所述MOSFET特性测试实验板连接，所述支撑板的中部开设有通孔，所述温度传感器安装在所述支撑板的上表面，所述温度传感器的检测端贯穿通孔对准MOSFET特性测试实验板，所述温控显示板与所述温度传感器电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 mosfet 特性 测试 实验 装置 | ||
【主权项】：
一种MOSFET特性测试实验装置，其特征在于：包括MOSFET特性测试实验板、温度传感器、温控显示板和温度传感器固定板，所述温度传感器固定板包括支撑板和至少三根支撑杆，所述支撑杆的第一端均与所述支撑板连接，所述MOSFET特性测试实验板上开设有若干个连接孔，所述支撑杆的第二端插入连接孔与所述MOSFET特性测试实验板连接，所述支撑板的中部开设有通孔，所述温度传感器安装在所述支撑板的上表面，所述温度传感器的检测端贯穿通孔对准MOSFET特性测试实验板，所述温控显示板与所述温度传感器电连接。
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