[实用新型]一种GaN集成器件

摘要

本实用新型提供了一种GaN集成器件。光电集成器件包括由下至上依次形成的GaN衬底、AlN成核层、GaN过渡层、N-GaN集电区层，第一隔离区和第二隔离区将N-GaN集电区层分隔为第一区域、第二区域和第三区域，在第一区域的N-GaN集电区层上由下至上依次形成有第一P-GaN基区层、第一N型发射区层、第一N⁺-GaN帽层、器件隔离层、晶体过渡层、N-InP层、i-光吸收层和P-InP层；在第二区域的N-GaN集电区层上由下至上依次形成有第二P-GaN基区层、第二N型发射区层和第二N⁺-GaN帽层；在第三区域的N-GaN集电区层上形成有第三P-GaN基区层和第三N型电极。本实用新型能够实现PIN光电探测器、跨阻放大器和限幅器高度集成。

主权项

一种GaN集成器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的GaN衬底、AlN成核层、GaN过渡层、N‑GaN集电区层；还包括第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区和所述第二隔离区从所述N‑GaN集电区层的上表面嵌入并延伸至所述N‑GaN集电区层内部，将所述N‑GaN集电区层分隔为第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于所述第一隔离区和所述第二隔离区之间；其中，在所述第一区域的N‑GaN集电区层上由下至上依次形成有第一P‑GaN基区层、第一N型发射区层、第一N⁺‑GaN帽层、器件隔离层、晶体过渡层、N‑InP层、i‑光吸收层和P‑InP层，所述P‑InP层上形成有第一P型电极，所述N‑InP层上形成有第一N型电极；在所述第二区域的N‑GaN集电区层上由下至上依次形成有第二P‑GaN基区层、第二N型发射区层和第二N⁺‑GaN帽层，所述第二N⁺‑GaN帽层上以及所述第二P‑GaN基区层一侧的N‑GaN集电区层上形成有第二N型电极，所述第二P‑GaN基区层上形成有第二P型电极；在所述第三区域的N‑GaN集电区层上形成有第三P‑GaN基区层和第三N型电极，所述第三P‑GaN基区层上形成有第三P型电极。