[实用新型]一种基于NT_N层的版图隔离环有效
| 申请号： | 201521080502.6 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN205452285U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 徐婷;沈剑均 | 申请（专利权）人： | 江苏星宇芯联电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 蒋真 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于NT_N层的版图隔离环，其特征是包括Ptap保护环(101)、N阱保护环(201)、深N阱(301)和NT_N层(401)，需要隔离的器件和模块(102)外围依次环绕Ptap保护环(101)，N阱保护环(201),并直接放置在深N阱(301)层上，下层的深N阱层(301)的边缘与置于上层的N阱保护环(201)的N阱层(202)相接，N阱保护环(201)外围是NT_N(401)区域，以NT_N(401)区域的中心点作Y轴对称，右边具有跟左边相同的版图结构。本实用新型所述的隔离环能够适用不同类型的混合信号芯片，对不同频率下的噪声都有很好的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nt_n 版图 隔离 | ||
【主权项】：
一种基于NT_N层的版图隔离环，其特征是包括Ptap保护环(101)、N阱保护环(201)、深N阱(301)和NT_N层(401)，需要隔离的器件和模块(102)外围依次环绕Ptap保护环(101)，N阱保护环(201),并直接放置在深N阱(301)层上，下层的深N阱层(301)的边缘与置于上层的N阱保护环(201)的N阱层(202)相接，N阱保护环(201)外围是NT_N(401)区域，以NT_N(401)区域的中心点作Y轴对称，右边具有跟左边相同的版图结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
