[实用新型]一种平面分离双栅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201521083246.6 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN205452294U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘玉荣;廖荣;姚若河 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种平面分离双栅薄膜晶体管。所述平面分离双栅薄膜晶体管，自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成，所述两个栅电极相对设置于过渡层的上方；所述栅电极与源电极/漏电极设置的方向不同。本实用新型调整两个栅极的偏压可使TFT器件呈现出不同的输出和转移特性；两个栅极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效地拓展TFT的应用范围，有望解决阈值电压漂移、自动增益控制动态范围窄等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 分离 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种平面分离双栅薄膜晶体管，其特征在于：自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成。
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