[实用新型]一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置有效

专利信息
申请号: 201521101628.7 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN205449639U 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 贺珍俊;李辉;宗凤云;曹忠;高云龙;刘淑萍;陈大勇 申请(专利权)人: 内蒙古神舟硅业有限责任公司
主分类号: G01N1/44 分类号: G01N1/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置,其包括水浴桶,所述水浴桶顶部连接有密封套筒,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端设置有伸入到所述水浴桶中的多个放置试管的管槽,所述管槽的底端封闭,所述管槽的顶端开口,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成一个密闭空间,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成的密闭空间通过进水管和回水管与设置在水浴桶外部的形成一个密封回路。本实用新型在样品消化、干扰物挥发过程中既能够保护样品免受外界污染,同时又能够提高挥发效率。
搜索关键词: 一种 用于 电子 多晶 消解 快速 挥发 干扰 组分 装置
【主权项】:
一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置,其特征在于,其包括水浴桶,所述水浴桶顶部设置有密闭的密封套筒,所述密封套筒靠近所述水浴桶的一端设置有向下延伸伸入到所述水浴桶中的多个放置试管的管槽,所述管槽的底端封闭,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成一个密闭空间,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成的密闭空间通过进水管和回水管与设置在所述水浴桶外部的加热水槽形成一个密封回路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古神舟硅业有限责任公司,未经内蒙古神舟硅业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201521101628.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top