[实用新型]隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201521104813.1 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN205452292U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 柳青;S·M·塞利克 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及隧穿场效应晶体管。在支撑衬底上由半导体材料鳍形成一种隧穿场效应晶体管。该半导体材料鳍包括源极区、漏极区和介于该源极区与该漏极区之间的沟道区。栅极电极在该沟道区处跨坐于鳍之上。在该栅极电极的每一侧上提供多个侧壁间隔物。该晶体管的源极由从该鳍的源极区生长出来并且掺杂有第一导电类型的外延含锗源极区制成。该晶体管的漏极由从该鳍的漏极区生长出来并且掺杂有第二导电类型的外延含硅漏极区制成。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：支撑衬底；半导体材料鳍，所述半导体材料鳍包括源极区、漏极区和介于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区；在所述沟道区处跨坐于所述鳍之上的栅极电极；位于所述栅极电极的每一侧上的侧壁间隔物；从所述鳍的所述源极区生长出来并且掺杂有第一导电类型的外延含锗源极区；以及从所述鳍的所述漏极区生长出来并且掺杂有第二导电类型的外延含硅漏极区。
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