[实用新型]一种增强型GaN器件

摘要

本实用新型涉及半导体器件技术领域，通过提供一种增强型GaN器件，包括：衬底；SiN/AlN成核层，位于衬底上；第一GaN缓冲层，位于SiN/AlN成核层上；AlN/GaN空间隔离层，位于第一GaN缓冲层上；第二GaN缓冲层，位于AlN/GaN空间隔离层上；AlN势垒层，位于第二GaN缓冲层上；GaN帽层，位于AlN势垒层上；隔离区，形成于GaN帽层两侧且深入至第一GaN缓冲层内部；漏极和源极，漏极和源极分别位于GaN帽层的左右两侧；栅槽，开设于漏极和源极之间的GaN帽层上，且栅槽底端位于GaN帽层内；Al₂O₃钝化层，覆盖在源极和漏极之间的GaN帽层上和栅槽的内壁；栅极，形成在栅槽内的Al₂O₃钝化层上，改善了栅极泄露电流，提升了器件击穿电压，减小E/D数字电路功耗。

主权项

一种增强型GaN器件，其特征在于，包括：衬底；SiN/AlN成核层，SiN/AlN成核层位于所述衬底上；第一GaN缓冲层，所述第一GaN缓冲层位于所述SiN/AlN成核层上；AlN/GaN空间隔离层，所述AlN/GaN空间隔离层位于所述第一GaN缓冲层上；第二GaN缓冲层，所述第二GaN缓冲层位于所述AlN/GaN空间隔离层上；AlN势垒层，所述AlN势垒层位于所述第二GaN缓冲层上；GaN帽层，所述GaN帽层位于所述AlN势垒层上；隔离区，所述隔离区形成于所述GaN帽层两侧且深入至所述第一GaN缓冲层内部；漏极和源极，所述漏极和源极分别位于所述GaN帽层的左右两侧；栅槽，开设于所述漏极和源极之间的GaN帽层上，且所述栅槽底端位于所述GaN帽层内；Al₂O₃钝化层，覆盖在所述源极和所述漏极之间的GaN帽层上和所述栅槽的内壁；栅极，形成在所述栅槽内的Al₂O₃钝化层上。