[实用新型]一种用于光电器件的多重量子阱结构有效
| 申请号： | 201521107595.7 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN205657079U | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈铭胜;武良文;陈庆维 | 申请（专利权）人： | 扬州德豪润达光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 225002 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于光电器件的多重量子阱结构，应用于氮化镓基光电器件中，该光电器件包括由基板至表层的N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层；所述多重量子阱层是由势垒层和势阱层交叠而成，在多重量子阱层结构中，最靠近P型半导体层的势阱层铟组分的厚度小于其它势阱层，如此可补偿最靠近P型半导体层的势阱层因受电子阻挡层压电场的影响，改善带隙倾斜较其它势阱层大的问题，利用工程调整方式，以达到有效提高氮化镓基光电器件的发光纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光电 器件 多重 量子 结构 | ||
【主权项】：
一种用于光电器件的多重量子阱结构，该光电器件包括由基板至表层的N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层；其特征在于：所述多重量子阱层是由势垒层和势阱层交叠而成，在多重量子阱层结构中，最靠近P型半导体层的势阱层铟组分的厚度小于其它势阱层。
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