[实用新型]MOS驱动保持电路有效

专利信息
申请号: 201521109234.6 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN205283506U 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 朱志勇;崔炎;王小六 申请(专利权)人: 苏州松田微电子有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种MOS驱动保持电路,包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点。本实用新型MOS驱动保持电路,利用MOS门极高阻抗特性,给MOS信号后,能持续导通达2.5秒种,并自动复位为截止状态。
搜索关键词: mos 驱动 保持 电路
【主权项】:
MOS驱动保持电路,其特征在于,包括信号输入端、MOS管、PNP三极管、信号输出端和接地点;所述信号输入端通过第一支路连接信号输出端;所述第一支路上由信号输入端至信号输出端依次串联有电感、第一二极管、第一电阻;所述第一二极管的正极与电感连接,所述第一二极管的负极与第一电阻连接;所述第一二极管的正极通过第二支路连接接地点,所述第二支路上设有第一电容;所述第一二极管的负极通过第三支路连接接地点,所述第三支路上设有第二电容;所述MOS管的漏极与第一支路连接,所述MOS管漏极与第一支路的连接点位于电感和第一二极管之间;所述MOS管的源极连接接地点;所述MOS管的栅极通过第四支路与PNP三极管的集电极连接;所述第四支路上设有第二二极管;所述第二二极管的正极与PNP三极管的集电极连接,所述第二二极管的负极与MOS管的栅极连接;所述PNP三极管的发射极连与第一支路连接,所述PNP三极管发射极与第一支路的连接点位于第一二极管和第一电阻之间;所述PNP三极管的基极通过第五支路连接信号输出端;所述第五支路上设有第二电阻;所述MOS管的栅极通过第六支路连接接地点;所述第六支路上设有第三电容;所述MOS管的栅极还通过第七支路连接接地点;所述第七支路上设有第三电阻。
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