[实用新型]高信噪比的超声波探头有效

专利信息
申请号: 201521111041.4 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN205607930U 公开(公告)日: 2016-09-28
发明(设计)人: 程强 申请(专利权)人: 上海斌瑞检测技术服务有限公司
主分类号: G01N29/24 分类号: G01N29/24
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 周乃鑫
地址: 200436 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种高信噪比的超声波探头,其包含外壳、吸声材料、斜楔、压电晶片、阻尼块以及电缆线;所述外壳内设有吸声材料,斜楔设置在吸声材料中,压电晶片上部与阻尼块连接后再一同粘接到所述的吸声材料中,且压电晶片的下部固定在斜楔的斜面上,电缆线一端穿过阻尼块与压电晶片连接;所述的压电晶片采用的是硅酸锂压电晶片;所述阻尼块经过浇筑法加高速离心处理与压电晶片粘接;所述阻尼块的面积与晶片的面积大小一致,厚度为5mm,以减少脉冲宽度,提高信噪比。其优点是:其通过减少阻尼块的大小,结合硅酸锂压电晶片以及浇筑法加高速离心处理做的背衬,以限制粗大晶粒与超声波束的相互作用几率,达到减少脉冲宽度,提高信噪比的目的。
搜索关键词: 高信噪 超声波 探头
【主权项】:
一种高信噪比的超声波探头,其包含外壳(4)、吸声材料(1)、斜楔(2)、压电晶片(6)、阻尼块(3)以及电缆线(5),其特征在于:所述外壳(4)内设有吸声材料(1),斜楔(2)设置在吸声材料(1)中,压电晶片(6)上部与阻尼块(3)连接后再一同粘接到所述的吸声材料(1)中,且压电晶片(6)的下部固定在斜楔(2)的斜面上,电缆线(5)一端穿过阻尼块(3)与压电晶片(6)连接;所述的压电晶片(6)采用的是硅酸锂压电晶片;所述阻尼块(3)经过浇筑法加高速离心处理与压电晶片(6)粘接;所述阻尼块(3)的面积与晶片(6)的面积大小一致,厚度为5mm,以减少脉冲宽度,提高信噪比。
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