[实用新型]一种单晶硅片有效
申请号: | 201521116443.3 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN205335264U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 张忠安 | 申请(专利权)人: | 江西豪安能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0236 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种单晶硅片,包括单晶硅片主体,单晶硅片主体正面为凹凸不平的绒面结构,所述单晶硅片主体背面为平面结构,所述单晶硅片主体中均匀掺杂分布有镓,所述单晶硅主体的绒面结构为齿形结构,本实用新型结构简单,通过掺镓在单晶硅片主体中,使得单晶硅片电阻率在不增加成本的前提实现和掺硼一样的水平,实现了晶体100%的利用并抑制了95%以上的光衰,平均消除6%的光衰,相当于效率提高一个百分点,成本下降6%,并已经产生巨大经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 | ||
【主权项】:
一种单晶硅片,包括单晶硅片主体,其特征在于,所述单晶硅片主体正面为凹凸不平的绒面结构,所述单晶硅片主体背面为平面结构,所述单晶硅片主体中均匀掺杂分布有镓,所述单晶硅片主体的绒面结构为齿形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的