[实用新型]晶体硅太阳电池有效
申请号: | 201521126946.9 | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN205264724U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 和江变;邹凯;周国华;马承鸿;李健 | 申请(专利权)人: | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;路兆强 |
地址: | 010111 内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本实用新型提出一种晶体硅太阳电池,包括硅片以及设置在硅片正面的多条主栅线、多条横向副栅线和环绕在硅片正面边缘处的边框电极栅线,横向副栅线与主栅线相垂直,主栅线两端延伸至边框电极栅线,硅片的正面还包括多条与主栅线相平行的纵向副栅线,多条横向副栅线与多条纵向副栅线相连接。本实用新型晶体硅太阳电池,通过设置与主栅线平行的纵向副栅线,使得当横向副栅线与主栅线之间发生断栅时,横向副栅线收集的光生电流能够通过纵向副栅线先流向其他相邻的横向副栅线,再流向主栅线,减小了光生电流向主栅线传送时的电阻,并且避免了晶体硅太阳电池发生热斑的问题,提高了晶体硅太阳电池的发电效率,延长了晶体硅太阳电池的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池,包括硅片以及设置在所述硅片正面的多条主栅线、多条横向副栅线和环绕在所述硅片正面边缘处的边框电极栅线,所述横向副栅线与所述主栅线相垂直,所述主栅线两端延伸至所述边框电极栅线,其特征在于,所述硅片的正面还包括多条与所述主栅线相平行的纵向副栅线,多条所述横向副栅线与多条所述纵向副栅线相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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