[实用新型]一种FDD系统GaN功率管的栅极偏置电路有效
| 申请号： | 201521128015.2 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN205509987U | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 韩持宗;吴超 | 申请（专利权）人： | 三维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F3/20 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈继亮 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种FDD系统GaN功率管的栅极偏置电路，其包括：包括：运算放大器U1、场效应晶体管U2、场效应晶体管U3、漏极PMOS场效应晶体管U4、48V转+5V电源芯片U5,一个+5V转‑5V电源芯片U6、电位器R1以及电阻R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9。其中，U1、U5、U6和R1、R2、R3、R4构成栅极供电电路；U2、U3、U4、U6和R5、R6、R7、R8、R9构成漏极延时电路。本实用新型可实现给GaN功率管栅极提供负压偏置，并保证栅压先上电2毫秒后漏压才能接通，保护GaN功率管不会因为栅压过高而烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fdd 系统 gan 功率管 栅极 偏置 电路 | ||
【主权项】：
一种FDD系统GaN功率管的栅极偏置电路，其特征在于：包括：包括：运算放大器U1、场效应晶体管U2、场效应晶体管U3、漏极PMOS场效应晶体管U4、48V转+5V电源芯片U5,一个+5V转‑5V电源芯片U6、电位器R1以及电阻R2、R3、R4 、R5、R6、R7、R8、R9；其中，U1、U5、U6和R1、R2、R3、R4构成栅极供电电路； U2、U3、U4 、U6和R5、R6、R7、R8、R9构成漏极延时电路。
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