[实用新型]双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 201521128185.0 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN205452291U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 柳青 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双极型晶体管器件，由包括叠置于绝缘层上的半导体层的衬底支撑。晶体管基极由在该半导体层中的以第一掺杂浓度掺杂有第一导电类型掺杂物的基区形成。晶体管发射极和集电极由掺杂有第二导电类型掺杂物并且位于邻近于该基区的相对两侧的区形成。非本征基极包括与该基区的顶表面相接触的外延半导体层。该外延半导体层以大于该第一掺杂浓度的第二掺杂浓度掺杂有该第一导电类型掺杂物。在该非本征基极的每一侧上的侧壁间隔物包括在该外延半导体层的一侧和该基区的顶表面上的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括叠置于绝缘层上的半导体层；晶体管基极，所述晶体管基极包括在所述半导体层中的以第一掺杂浓度掺杂有第一导电类型掺杂物的基区；晶体管发射极，所述晶体管发射极包括掺杂有第二导电类型掺杂物并且位于邻近于所述基区的一侧的发射区；晶体管集电极，所述晶体管集电极包括掺杂有所述第二导电类型掺杂物并且位于邻近于所述基区的相反侧的集电区；以及非本征基极，所述非本征基极包括与所述基区的顶表面相接触的外延半导体层，所述外延半导体层以大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度掺杂有所述第一导电类型掺杂物。
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