[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 201521130141.1 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN205542780U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 柳青;P·莫林 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种集成电路，包括：包含第一区域和第二区域的衬底；在衬底的第一区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍；在衬底的第二区域中的多个压缩性应变的硅锗半导体鳍；在第一区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍之上延伸的第一金属栅极；以及在第二区域中的多个压缩性应变的硅锗半导体鳍之上延伸的第二金属栅极；其中，多个压缩性应变的硅锗半导体鳍包括已经被弛豫并且已经向其内驱入了锗的拉伸性应变的硅半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，包括：包含第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍；在所述衬底的所述第二区域中的多个压缩性应变的硅锗半导体鳍；在所述第一区域中的所述多个拉伸性应变的硅半导体鳍之上延伸的第一金属栅极；以及在所述第二区域中的所述多个压缩性应变的硅锗半导体鳍之上延伸的第二金属栅极；其中，所述多个压缩性应变的硅锗半导体鳍包括已经被弛豫并且已经向其内驱入了锗的拉伸性应变的硅半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司，未经意法半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201521130141.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种频率锁相环PLL发生装置
- 下一篇：相位误差补偿电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
