[实用新型]集成电路晶体管器件和集成电路有效
| 申请号： | 201521130324.3 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN205282482U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 柳青;J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及集成电路晶体管器件和集成电路。一种竖直结型场效应晶体管(JFET)由半导体衬底所支撑，该半导体衬底包括在该半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的源极区。掺杂有该第一导电类型掺杂物的半导体材料鳍具有与该源极区接触的第一端、并且进一步包括第二端以及在该第一端和该第二端之间的多个侧壁。漏极区由从该鳍的第二端生长的第一外延材料形成并且掺杂有该第一导电类型掺杂物。栅极结构由从该鳍的这些侧壁生长的第二外延材料形成并且掺杂有第二导电类型掺杂物。根据本申请的方案，可以提供配置和操作改善的集成电路晶体管器件和集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路晶体管器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的区；半导体材料鳍，所述半导体材料鳍具有与在所述半导体衬底之内的所述区接触的第一端并且具有第二端并且具有在所述第一端和所述第二端之间的多个侧壁，所述鳍掺杂有所述第一导电类型掺杂物；与所述半导体材料鳍的所述第二端接触的第一外延区，所述第一外延区掺杂有所述第一导电类型掺杂物；以及与所述半导体材料鳍的多个侧壁接触的第二外延区，所述第二外延区掺杂有第二导电类型掺杂物。
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