[实用新型]双芯片并联联接封装结构有效

专利信息
申请号: 201521134666.2 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN205376519U 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 黄昌民 申请(专利权)人: 无锡昌德微电子股份有限公司
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L23/49
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;韩凤
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供了一种双芯片并联联接封装结构装片底板、E极引脚和B极引脚,所述装片底板上安装第一芯片和第二芯片,第一芯片的E极通过第一芯片E极导电引线连接E极引脚,第二芯片的E极通过第二芯片E极导电引线连接E极引脚,使第一芯片E极与第二芯片E极形成等电位;第一芯片的B极通过第一芯片B极导电引线连接B极引脚,第二芯片的B极通过第二芯片B极导电引线连接B极引脚,使第一芯片B极与第二芯片B极形成等电位。本实用新型的优点是:在同一结构中集成两个相同的芯片且两个芯片形成并联结构,两个芯片同时工作共同分担导通电流,使同一结构的导通电流增加一倍,但体积未变,节省有效使用空间,也有效地减少原材料的使用。
搜索关键词: 芯片 并联 联接 封装 结构
【主权项】:
双芯片并联联接封装结构,包括装片底板(1)、E极引脚(6)和B极引脚(9),其特征是:所述装片底板(1)上安装第一芯片(2)和第二芯片(3),第一芯片(2)的E极通过第一芯片E极导电引线(4)连接E极引脚(6),第二芯片(3)的E极通过第二芯片E极导电引线(5)连接E极引脚(6),使第一芯片(2)E极与第二芯片(3)E极形成等电位;第一芯片(2)的B极通过第一芯片B极导电引线(7)连接B极引脚(9),第二芯片(3)的B极通过第二芯片B极导电引线(8)连接B极引脚(9),使第一芯片(2)B极与第二芯片(3)B极形成等电位。
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