[实用新型]一种减少半导体监控片缺陷的退火装置有效
| 申请号： | 201521138397.7 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN205355016U | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安;翟继鑫 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;徐鹏飞 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束的激光光源和放置有待处理硅基板的支撑基板，其中，所述硅基板和支撑基板设置于退火室内，所述退火室开设有透明窗，所述激光束可穿过所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室内设置有气体喷嘴，所述气体喷嘴向所述硅基板的表面喷射惰性气体并向所述退火室充入惰性气体，所述气体喷嘴可调节气流方向。上述减少半导体监控片缺陷的退火装置，结构简单，在监控片的硅基板退火的过程中，清理颗粒污染物并阻隔高温下硅基板与杂质的反应，避免硅基板表面产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 半导体 监控 缺陷 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束(11)的激光光源(1)和放置有待处理硅基板(3)的支撑基板(2)，其特征在于：所述硅基板(3)和支撑基板(2)设置于退火室(4)内，所述退火室(4)开设有透明窗(41)，所述激光束(11)可穿过所述透明窗(41)照射于所述硅基板(3)，所述退火室(4)内设置有气体喷嘴(5)，所述气体喷嘴(5)向所述硅基板(3)的表面喷射惰性气体并向所述退火室(4)充入惰性气体，所述气体喷嘴(5)可调节气流方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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