[实用新型]一种紫外臭氧处理仪有效
| 申请号： | 201521140055.9 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN205282455U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王文俊;吴广成;崔光磊 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所 11308 | 代理人： | 范奇 |
| 地址： | 241000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种紫外臭氧处理仪，包括底座、固定在底座上的储物筒以及位于储物筒一侧的进氧装置，所述储物筒前端设有进物口、后端连接有紫外发生器，所述储物筒内壁上设有紫外灯；所述进氧装置包括进氧管以及与进氧管相通的分支管，所述进氧管的左右两端头分别设有抽气口和进氧口；本仪器可以做到高纯度真空通入氧气，并能很好控制氧气通入量进而控制臭氧产生的量。在紫外线灯的直接照射下，也能对ITO玻璃表面产生一定的效果，ITO玻璃就能在仪器中被双重清洗和改善功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 臭氧 处理 | ||
【主权项】：
一种紫外臭氧处理仪，包括底座(9)、固定在底座(9)上的储物筒(11)以及位于储物筒(11)一侧的进氧装置，其特征在于：所述储物筒(11)前端设有进物口(7)、后端连接有紫外发生器(10)，所述储物筒(11)内壁上设有紫外灯(8)；所述进氧装置包括进氧管(12)以及与进氧管(12)相通的分支管，所述进氧管(12)的左右两端头分别设有抽气口(1)和进氧口(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
