[实用新型]一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件有效
| 申请号： | 201521141019.4 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN205595339U | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;郑柳;杨霏;温家良;潘艳;李永平;王嘉铭;李玲;夏经华;朱韫晖 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N‑漂移层，所述N‑漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分N+源区上为隔离层；正面为源极及背面为漏极；2)肖特基二极管：所述N‑漂移层内的所述P阱间的N‑漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。本实用新型通过在沟槽型SiCMOSFET中引入肖特基二极管，在器件工作时，起续流二极管的作用，提高了电路工作的效率与可靠性，降低了电路制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 sic 沟槽 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括：沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N‑漂移层，所述N‑漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分所述N+源区上为隔离层；正面为源极及背面为漏极；肖特基二极管：所述N‑漂移层内的所述P阱间的N‑漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。
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