[实用新型]一种背钝化晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种背钝化晶体硅太阳能电池，所述晶体硅太阳能电池从下往上依次包括Ag背电极、Al背电场、SiNx层、本征非晶硅层、P+非晶硅层、P型硅、N+层、减反膜和Ag正电极；所述SiNx层、本征非晶硅层和P+非晶硅层均设有均匀分布的激光槽，所述Al背电场穿过均匀分布的激光槽与P型硅接触。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：采用P+非晶硅层、本征非晶硅层和SiNx叠层组合的背钝化结构，利用非晶硅和P+/P高低结优异的钝化效果，大大降低了硅片背面的少数载流子复合速率，提升了电池的转换效率；由于利用PECVD等简单的设备即可完成背钝化电池的制备，电池成本低，易产业化推广。

主权项

一种背钝化晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池从下往上依次包括Ag背电极、Al背电场、SiNx层、本征非晶硅层、P+非晶硅层、P型硅、N+层、减反膜和Ag正电极；SiNx层、本征非晶硅层、P+非晶硅层、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置，所述SiNx层、本征非晶硅层和P+非晶硅层均设有均匀分布的激光槽，所述Al背电场穿过均匀分布的激光槽与P型硅接触。