[实用新型]一种联合封装的功率半导体器件有效
| 申请号： | 201521143678.1 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN205303451U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王伟 | 申请（专利权）人： | 天津津泰锝科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300401 天津市河*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种联合封装的功率半导体器件，包括上盖、基座、第一半导体芯片、第二半导体芯片和CPU，所述上盖上面设置有热管，所述热管嵌入于上盖设置，所述上盖内设置有铜管，所述铜管与上盖为一体式设置，所述铜管为波浪状设置，所述上盖下面设置有隔热板，所述上盖、基座和隔热板之间形成有第一密封腔、第二密封腔和第三密封腔，所述第一半导体芯片位于第一密封腔内，所述第二半导体芯片位于第二密封腔内，所述CPU位于第三密封腔内，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片和CPU均与基座电性连接，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片均与CPU连接；该联合封装的功率半导体器件具有优秀的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 联合 封装 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种联合封装的功率半导体器件，其特征在于：包括上盖、基座、第一半导体芯片、第二半导体芯片和CPU，所述上盖上面设置有热管，所述热管嵌入于上盖设置，所述上盖内设置有铜管，所述铜管与上盖为一体式设置，所述铜管为波浪状设置，所述上盖下面设置有隔热板，所述上盖、基座和隔热板之间形成有第一密封腔、第二密封腔和第三密封腔，所述第一半导体芯片位于第一密封腔内，所述第二半导体芯片位于第二密封腔内，所述CPU位于第三密封腔内，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片和CPU均与基座电性连接，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片均与CPU连接。
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