[实用新型]用于光伏电池的导电基板有效
申请号: | 201521145566.X | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN205723565U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | S·奥夫雷 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 金飞;谭祐祥 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本实用新型的目的是一种Sin(<100nm)/Mo/MoON(20‑40nm)/Mo(30‑35nm)型导电基板。具体而言,涉及一种用于光伏电池的导电基板,包括承载基板和被形成于承载基板上的电极覆层,电极覆层包括:被形成于承载基板上的钼基主层;被形成于钼基且钼氮氧化物基主层上的硒化阻隔层;和在硒化阻隔层上的钼基上层,承载基板为通过浮法获得的硅‑苏打‑石灰型玻璃板,导电基板包括被形成在承载基板上且位于钼基主层之下的碱阻融层,碱阻隔层基于氮化硅,其中钼基上层具有至少30nm且至多35nm的厚度,硒化阻隔层具有至少20nm且至多40nm的厚度,以及碱阻隔层具有至多100nm的厚度。 | ||
搜索关键词: | 用于 电池 导电 | ||
【主权项】:
一种用于光伏电池的导电基板(1),包括承载基板(2)和被形成于承载基板(2)上的电极覆层(6),所述电极覆层(6)包括:‑ 被形成于承载基板(2)上的钼基主层(8);‑ 被形成于钼基且钼氮氧化物基主层(8)上的硒化阻隔层(10);和‑ 在硒化阻隔层(10)上的钼基上层(12),所述承载基板为通过浮法获得的硅‑苏打‑石灰型玻璃板,所述导电基板包括被形成在承载基板上且位于钼基主层之下的碱阻隔层(4),所述碱阻隔层基于氮化硅,其中所述钼基上层具有至少30nm且至多35nm的厚度,所述硒化阻隔层具有至少20nm且至多40nm的厚度,以及所述碱阻隔层具有至多100nm的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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