[发明专利]半导体用复合基板的处理基板有效
| 申请号： | 201580000704.1 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105190839B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C04B35/115;C04B37/02 |
| 代理公司： | 31210 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 李晓<国际申请>=PCT/JP2015/ |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板，是半导体用复合基板的处理基板，其特征在于，所述处理基板由多晶氧化铝形成，所述多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下，所述处理基板的接合面侧的表面区域所含的大小为0.5μm以上的气孔数量，为所述表面区域所含的大小为0.1μm以上0.3μm以下的气孔数量的0.05倍以上、0.3倍以下；所述处理基板的接合面侧的所述表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔的平均密度为500个/mm2以下，所述处理基板的接合面为研磨面，所述处理基板的所述接合面的表面粗糙度Ra在3.0nm以下，所述多晶氧化铝的平均粒径为1～35μm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
