[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201580000831.1 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105493256B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张帅;詹裕程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;G02F1/1362;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 众多的实施例提供了一种薄膜晶体管、其制备方法、和包括TFT的显示装置。在衬底上形成碳纳米管层，所述碳纳米管层包括复数个碳纳米管。在所述碳纳米管层里形成多个过孔得到第一图案化碳纳米管层。每个碳纳米管结构包括在过孔中形成的多个第二碳纳米管。所述碳纳米管结构和所述第一图案化碳纳米管层具有不同的载流子迁移率，由此形成有源层用作薄膜晶体管的有源结构。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管层 薄膜晶体管 碳纳米管结构 碳纳米管 显示装置 图案化 制备 载流子迁移率 源结构 衬底 复数 源层 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成具有多个碳纳米管的碳纳米管层；在所述碳纳米管层里形成多个过孔得到第一图案化碳纳米管层；以及在每个过孔中形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构，所述碳纳米管结构和所述第一图案化碳纳米管层具有不同的载流子迁移率由此形成有源层用作薄膜晶体管的有源结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
