[发明专利]低共模耦合效应的集成电路有效

专利信息
申请号: 201580000906.6 申请日: 2015-07-17
公开(公告)号: CN108028248B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 吴悦;贾天宇 申请(专利权)人: 无锡中感微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 杨晓东
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种集成电路,其形成于同一个晶片内,其包括:工作于第一频率的第一电路,其包括第一电感;包括第二电感的第二电路,其对输入信号进行处理,该输入信号的偶次谐波的频率位于所述第一频率附近,该第二电感包括第一连接端(A)、第二连接端(B)、中间连接端(M)、中间节点(D)、连接于第一连接端(A)和中间节点(D)之间的第一线路、连接于中间节点(D)和第二连接端(B)之间的第二线路以及连接于中间节点(D)和中间连接端(M)之间的中间抽头,第一线路和第二线路延伸形成一匝或多匝线圈。在电流从第一连接端(A)流向中间连接端(M),从第二连接端(B)流向中间连接端(M)时,第一线路、第二线路和中间抽头上的电流产生的磁场能够基本互相抵消,从而降低了第二电路对第一电路的共模耦合的影响。
搜索关键词: 低共模 耦合 效应 集成电路
【主权项】:
PCT国内申请,权利要求书已公开。
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