[发明专利]微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备在审
| 申请号： | 201580001242.5 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106170849A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;王喆 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/00;H01L33/00;B32B37/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;黄锦阳 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备。该用于在晶圆级转移微发光二极管的方法包括：将激光透明的原始衬底上的微发光二极管通过第一接合层临时接合到承载衬底上；用激光照射原始衬底，以剥离所选择的微发光二极管；对第一接合层执行部分释放，从而将所选择的微发光二极管转移到承载衬底；将承载衬底上的微发光二极管通过第二接合层临时接合到转移头衬底；对第一接合层执行完全释放，从而将所述微发光二极管转移到转移头衬底；将转移头衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及通过释放第二接合层，移除转移头衬底，从而将微发光二极管转移到接收衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 转移 方法 制造 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种用于在晶圆级转移微发光二极管的方法，包括：将激光透明的原始衬底上的微发光二极管通过第一接合层临时接合到承载衬底上；从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离所选择的微发光二极管；对第一接合层执行部分释放，从而将所选择的微发光二极管转移到承载衬底；将承载衬底上的微发光二极管通过第二接合层临时接合到转移头衬底；对第一接合层执行完全释放，从而将所述微发光二极管转移到转移头衬底；将转移头衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及通过释放第二接合层，移除转移头衬底，从而将微发光二极管转移到接收衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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