[发明专利]钽溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201580001927.X | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105555997B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 小田国博 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B21B3/00;B22D21/06;B22D27/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 胡嵩麟,王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种钽溅射靶，其特征在于，钽溅射靶的溅射面的(100)面的取向率为30％～90％且(111)面的取向率为50％以下。一种钽溅射靶的制造方法，其特征在于，对经熔炼铸造的钽锭进行锻造和再结晶退火，然后进行轧制和热处理，从而形成钽溅射靶的(100)面的取向率为30％～90％且(111)面的取向率为50％以下的晶体组织。通过控制靶的晶体取向，具有以下效果使钽靶的预烧累计电量减少，容易产生等离子体，使成膜速度稳定，并且使膜的电阻变动减小。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钽溅射靶，其特征在于，钽溅射靶的溅射面的(100)面的取向率为30％～90％且(111)面的取向率为50％以下，在钽溅射靶的溅射面上具有氮化膜。
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