[发明专利]反熔丝存储器单元

摘要

一种具有可变厚度栅极氧化物的反熔丝存储器单元。所述可变厚度栅极氧化物通过以下步骤形成：在反熔丝晶体管的沟道区上沉淀第一氧化物；从沟道区的薄氧化物区移除第一氧化物；以及然后在薄氧化物区热生长第二氧化物。剩余的第一氧化物限定沟道区的厚氧化物区。第二氧化物生长发生在剩余的第一氧化物下方，但以小于薄氧化物区中氧化物热生长的速率生长。这使得厚氧化物区中的第一氧化物和第二氧化物的组合的厚度大于薄氧化物区中的第二氧化物。

主权项

1.一种形成用于反熔丝晶体管的可变厚度栅极氧化物的方法，包括以下步骤：在所述反熔丝晶体管的沟道区生长第一氧化物；从所述沟道区的薄栅极氧化物区移除第一氧化物；在所述薄栅极氧化物区和所述第一氧化物下方的所述沟道区的厚栅极氧化物区同时热生长第二氧化物，并且所述厚栅极氧化物区中的第一氧化物和第二氧化物的组合的厚度大于所述薄栅极氧化物区中的第二氧化物，其中所述热生长包括：在所述厚栅极氧化物区和所述薄栅极氧化物区之间形成氧化物斜置区，所述氧化物斜置区的厚度与所述厚栅极氧化物区中的第一氧化物和第二氧化物的组合不同，并且与所述薄栅极氧化物区中的第二氧化物不同；以及邻近所述厚栅极氧化物区形成扩散区，用于接收来自所述沟道区的电流。