[发明专利]用于制造MTJ存储器装置的方法

摘要

本发明揭示了一种用于制造MTJ存储器装置的MTJ柱的方法。所述方法包括在衬底上沉积多个MTJ层、在所述衬底上沉积硬掩模及在所述硬掩模上涂布光致抗蚀剂。此外，执行反应性离子蚀刻及离子束蚀刻的交替步骤以隔离MTJ柱并暴露所述MTJ层的侧表面。施加绝缘层以保护所述MTJ层的所述侧表面。在使用化学机械抛光平坦化所述装置之前沉积第二绝缘层。

主权项

1.一种制造磁性隧道结“MTJ”装置的方法，所述方法包括：在衬底晶片上沉积多个MTJ层，所述多个MTJ层包含参考层、安置在所述参考层上的势垒层及安置在所述势垒层上的自由层；在所述多个MTJ层上沉积硬掩模；在所述硬掩模的部分上形成第一光致抗蚀剂层；蚀刻所述硬掩模及所述多个MTJ层以在所述第一光致抗蚀剂层下方形成MTJ柱，其中所述自由层及势垒层经蚀刻以暴露所述自由层及所述势垒层的侧表面以及邻近于所述MTJ结构的所述参考层的表面；在所述MTJ柱上、所述自由层及所述势垒层的所述经暴露侧表面上以及所述参考层的所述经暴露表面上沉积第一绝缘层；对所述MTJ柱进行离子束蚀刻以移除安置在所述MTJ柱的水平表面及所述参考层的所述经暴露表面上的所述第一绝缘层的部分；将所述MTJ层蚀刻到所述衬底晶片以将所述MTJ柱与相邻MTJ柱电隔离；及平坦化所述衬底晶片，其中蚀刻所述MTJ层的所述步骤包含至少一个反应性离子蚀刻及至少一个离子束蚀刻。