[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

将输出段用的纵向型n沟道功率MOSFET(21)和用于控制纵向型n沟道功率MOSFET(21)的横向型p沟道MOSFET(22)设置于相同的半导体基板上。横向型p沟道MOSFET(22)具备自对准地形成于栅电极(17)的Psd(p⁺型源区(12)和p⁺型漏区(13))。在Psd的内部设置有p⁺型扩散区(14，15)。Psd通过p⁺型扩散区(14，15)部分成为高杂质浓度。p⁺型扩散区(14，15)与纵向型n沟道功率MOSFET(21)的p⁺型扩散区(8)同时通过离子注入而形成，且在p⁺型扩散区(14，15)，借由比以往宽度更窄的接触孔分别连接有金属布线层。如此，能够提高金属布线层和半导体部的接触性，并且能够实现微细化。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置在相同的半导体基板上具备纵向型半导体元件和横向型半导体元件，其中，所述纵向型半导体元件具有：选择性地设置于构成第一导电型的半导体层的半导体基板的一个面的表面层的第二导电型的第一半导体区域、选择性地设置于所述第一半导体区域的内部的第一导电型的第二半导体区域、在所述半导体层与所述第二半导体区域之间与所述第一半导体区域接触的第一栅极绝缘膜、以及与所述第一栅极绝缘膜接触的第一栅电极；所述横向型半导体元件具有：以与所述第一半导体区域分开的方式选择性地设置于所述半导体基板的一个面的表面层的第二导电型的第三半导体区域、以与所述第一半导体区域和所述第三半导体区域分开的方式选择性地设置于所述半导体基板的一个面的表面层的第二导电型的第四半导体区域、以及隔着第二栅极绝缘膜设置于所述半导体层的夹在所述第三半导体区域与所述第四半导体区域之间的部分的表面上的第二栅电极，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括如下步骤：第一工序，在所述半导体基板的一个面上形成所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜；第二工序，形成与所述第一栅极绝缘膜接触的所述第一栅电极，并且形成与所述第二栅极绝缘膜接触的所述第二栅电极；第三工序，在所述第二工序之后，在所述半导体基板的一个面的表面层选择性地形成与所述第一栅极绝缘膜接触的所述第一半导体区域；第四工序，在所述第三工序之后，将所述第二栅电极作为掩模进行离子注入，针对所述第二栅电极自对准地形成所述第三半导体区域和所述第四半导体区域；第五工序，在所述第四工序之后，在所述第一半导体区域的内部选择性地形成所述第二半导体区域；第六工序，在所述第五工序之后，在所述半导体基板的一个主面上形成层间绝缘膜；第七工序，选择性地除去所述层间绝缘膜而形成多个接触孔，使与不同的所述接触孔分别对应的所述第一半导体区域、所述第三半导体区域以及所述第四半导体区域从所述接触孔露出；第八工序，借由所述接触孔进行离子注入，在所述第一半导体区域、所述第三半导体区域以及所述第四半导体区域的内部分别形成杂质浓度比所述第一半导体区域高的第二导电型的第一扩散区、杂质浓度大于等于所述第三半导体区域的杂质浓度的第二导电型的第二扩散区、以及杂质浓度大于等于所述第四半导体区域的杂质浓度的第二导电型的第三扩散区；以及第九工序，在所述第八工序之后，形成借由不同的所述接触孔而分别连接到对应的所述第一扩散区、所述第二扩散区以及所述第三扩散区的多个金属布线层。